1.防雷區(qū)(lightning protection zone)(LPZ):劃分雷擊電磁環(huán)境的區(qū)，一個防雷區(qū)的區(qū)界面不一定要有實物界面，例如不一定要有墻壁、地板或天花板作為區(qū)界面。

2.雷擊電磁脈沖(lightning electromagnetic impulse)(LEMP):雷電流經(jīng)電阻、電感、電容耦合產(chǎn)生的電磁效應(yīng)，包含閃電電涌和輻射電磁場。2.0.26電氣系統(tǒng)electrical system由低壓供電組合部件構(gòu)成的系統(tǒng)。也稱低壓配電系統(tǒng)或低壓配電線路。

3.電子系統(tǒng)(electronic system)由敏感電子組合部件構(gòu)成的系統(tǒng)。

4.建（構(gòu)）筑物內(nèi)系統(tǒng)internal system建（構(gòu)）筑物內(nèi)的電氣系統(tǒng)和電子系統(tǒng)。

5.電涌保護(hù)器surge protective device(SPD)用于限制瞬態(tài)過電壓和分泄電涌電流的器件。它至少含有一個非線性元件。

6.保護(hù)模式modes of protection電氣系統(tǒng)電涌保護(hù)器的保護(hù)部件可連接在相對相、相對地、相對中性線、中性線對地及其組合，以及電子系統(tǒng)電涌保護(hù)器的保護(hù)部件連接在線與線、線與地及其組合。

7.最大持續(xù)運行電壓maximum continuous operating voltage(Ue)可持續(xù)加于電氣系統(tǒng)電涌保護(hù)器保護(hù)模式的最大方均根電壓或直流電壓；可持續(xù)加于電子系統(tǒng)電涌保護(hù)器端子上，且不致引起電涌保護(hù)器傳輸特性減低的最大方均根電壓或直流電壓。

8.標(biāo)稱放電電流nominal discharge current(In)流過電涌保護(hù)器8/20μs電流波的峰值。

9.沖擊電流impulse current(Iimp)由電流幅值Ipeak、電荷Q和單位能量W/R所限定。

10.以Iimp試驗的電涌保護(hù)器SPD tested with Iimp耐得起10/350μs典型波形的部分雷電流的電涌保護(hù)器需要用Iimp電流做相應(yīng)的沖擊試驗。

10.級試驗class I test電氣系統(tǒng)中采用1級試驗的電涌保護(hù)器要用標(biāo)稱放電電流In、1.2/50μs沖擊電壓和最大沖擊電流Iimp做試驗。1級試驗也可用T1外加方框表示，即T1.以In試驗的電涌保護(hù)器SPD tested with I n耐得起8/20μs典型波形的感應(yīng)電涌電流的電涌保護(hù)器需要用In電流做相應(yīng)的沖擊試驗。

11.ⅡI級試驗class II test電氣系統(tǒng)中采用Ⅱ級試驗的電涌保護(hù)器要用標(biāo)稱放電電流In、1.2/50μs沖擊電壓和8/20μs電流波最大放電電流Imax做試驗。Ⅱ級試驗也可用T2外加方框表示，以組合波試驗的電涌保護(hù)器SPD tested with a 

combinationwave耐得起8/20μs典型波形的感應(yīng)電涌電流的電涌保護(hù)器需要用Isc短路電流做相應(yīng)的沖擊試驗。

12.III級試驗class III test電氣系統(tǒng)中采用I級試驗的電涌保護(hù)器要用組合波做試驗。組合波定義為由2Q組合波發(fā)生器產(chǎn)生

1.2/50μs開路電壓Uoc和8/20μs短路電流Isc。II級試驗也可用T3外加方框表示，即T3.

13.電壓開關(guān)型電涌保護(hù)器voltage switching type SPD無電涌出現(xiàn)時為高阻抗，當(dāng)出現(xiàn)電壓電涌時突變?yōu)榈妥杩埂Ｍǔ２捎?/p>

放電間隙、充氣放電管、硅可控整流器或三端雙向可控硅元件做這類電涌保護(hù)器的組件。也稱“克羅巴型”電涌保護(hù)器。具有不連續(xù)的電壓、電流特性。

14.限壓型電涌保護(hù)器voltage limiting type SPD無電涌出現(xiàn)時為高阻抗，隨著電涌電流和電壓的增加，阻抗連續(xù)變小。通常采用壓敏電阻、抑制二極管做限壓型電涌保護(hù)器的組件。也稱“籍壓型”電涌保護(hù)器。具有連續(xù)的電壓、電流特性。

15.組合型電涌保護(hù)器combination type SPD由電壓開關(guān)型元件和限壓型元件組合而成的電涌保護(hù)器，其特性隨所加電壓的特性可以表現(xiàn)為電壓開關(guān)型、限壓型或電壓開關(guān)型和限壓型皆有。

16.測量的限制電壓measured limiting voltage施加規(guī)定波形和幅值的沖擊波時，在電涌保護(hù)器接線端子問測得的最大電壓值。17.電壓保護(hù)水平voltage protection level(Up)表征電涌保護(hù)器限制接線端子問電壓的性能參數(shù)，其值可從優(yōu)先值的列表

中選擇。電壓保護(hù)水平值應(yīng)大于所測量的限制電壓的最高值。

18.1.2/50μs沖擊電壓1.2/50μsvoltage impulse規(guī)定的波頭時間T1為1.2μs、半值時間T2為50μs的沖擊電壓。

19.8/20μs沖擊電流8/20μscurrent impulse規(guī)定的波頭時間T1為8μs、半值時間T2為20μs的沖擊電流。

20.設(shè)備耐沖擊電壓額定值rated impulse withstand voltage ofequipment(Uw)設(shè)備制造商給予的設(shè)備耐沖擊電壓額定值，表

征其絕緣防過電壓的耐受能力。

21.插入損耗insertion loss在電氣系統(tǒng)中：在給定頻率下，連接到給定電源系統(tǒng)的電涌保護(hù)器的插入損耗為電源線上緊靠電涌

保護(hù)器接入點之后，在被試電涌保護(hù)器接入前后的電壓比，結(jié)果用dB表示。電子系統(tǒng)中，由于在傳輸系統(tǒng)中插入一個電涌保

護(hù)器所引起的損耗，它是在電涌保護(hù)器插入前傳遞到后面的系統(tǒng)部分的功率與電涌保護(hù)器插入后傳遞到同一部分的功率之

比。通常用dB表示。

22.回波損耗return loss反射系數(shù)倒數(shù)的模。一般以分貝（dB）表示。

23.近端串?dāng)_near-end crosstalk(NEXT)串?dāng)_在被干擾的通道中傳輸，其方向與產(chǎn)生干擾的通道中電流傳輸?shù)姆较蛳喾础Ｔ诒桓蓴_的通道中產(chǎn)生的近端串?dāng)_，其端口通常靠近產(chǎn)生干擾的通道的供能端，或與供能端重合。